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日期:2009-6-18 9:06:41 

    积层板构造是由“芯板积层”和“全层积层”之区分,前者是以SLC(Surface Laminar Circuit)/日本IBM、APPl0/ィビヂソ、VIH/日本维克托为代表;芯板是来之常规工艺制造印制电路板,并在其表面覆盖上绝缘层和布线层。后者是以B2it (Buried Bump Intercotion Technology)/东芝、ALIVH为代表,在制造工艺方面有差别,其积层形成是由绝缘层构成。所以采用芯板加积层构造,是由于常规工艺制造高密度、细线化多层板无论从印制电路板设计、制造工艺受到了很大制约,同时孔金属化也形成了一定难度。于是在98年实现孔内用「电镀柱充填类型」。特别在JPCA2001年展览展示这种工艺方法,满足世纪封装技术发展要求。

  以下就是叙述ALIVH和VIH制造概况和ALIVH VIH研制与开发过程。
  一. ALIVHzz结构
  1.与常规多层板结构比较
  常规工艺制造多层板,为达到层间电气互连,必须进行数钻孔和贯通孔孔化与电镀,这种孔势必减少基板有效面积,为了与器件安装盘连接,就必须在焊盘和别位置设置贯通孔,因此极大浪费了有效面积。所有这些都成为印制电路板小型化、设计合理化或者适应高速电路大课题。ALIVH构造所有层间都设有IVH构造,在器件正下方进行层间连接,无需电镀通孔,无论哪层都可以任意连接。 传统多层板电气连接采用金属化孔构造。
  2.构成材料
  原来传统生产印制电路板所采用基板材料为玻璃布,环氧树脂为代表,它基本上满足电子材料、防弹衣和消防服等强性和耐热性要求,而使用芳胺无纺布和含浸有高耐热性环氧树脂半固化材料取代传统高密度安装用印制电路板玻璃布/环氧树脂绝缘材料。因为芳胺无纺布无纺纤维具有高性能特征如低热膨胀率、低介电常数、高耐热性、高刚性和轻量化等,是一种优良基板绝缘材料。此外,传统印制电路板通孔加工多数采用钻头机械加工技术,而ALIVH构造则是采用脉冲振荡CO:激光蚀孔进行导通孔加工,无纺布采用小径化,实现了多数导通孔加工,而导通孔采用导电胶充填技术,取代了孔化和电镀铜,实现层间电气互连目。不采用电镀铜方法,导体由铜箔构成,导体厚度均一性高对细导线形成非常有利。如四层板板厚度为0.45mm、六层板板厚度为0.70mm。导体所使用铜箔厚度,内层标准铜箔厚度18(最小12)μm,外层铜箔厚度使用35μm。孔径为200(最小150)μm、焊盘直径为400(最小300)μm或更小些,设计导体标准宽度为100(最小60)μm、导体标准间距为100(最小70μm.从表2所示,它与FR-4(用玻璃布/环氧树脂制造多层板)从电气性能、机械性能等特性比较,ALIVH介质常数、密度、热膨胀系数小和玻璃转化温度高。从可靠性试验结果分析表示了ALIVH层间电气互连可靠性,在高湿氛围放置试验和各种类型热冲击试验中,ALIVH可靠性优良,电阻变化率都在20%范围以内。
  3.设计规格特征: AUVH产品设计规格主要特征如下: ①全层IVH构造,导通孔设置层没有限制。 ②全层均一规格无异种导通孔或者异种格子配线。 ③导通孔上焊盘,部晶安装盘可以与导通孔共用。 ④导通孔上导通孔与相邻接层导通孔位置没有限制(对于叠加型)。
  4.展开 AHVH于96年10月应用于携带电话,使其急速地进入超细微化。随着材料研制开发和制造工艺等改善和整合,正拓展到携带电话以外领域,开发了作为细线化半导体裸芯片安装用载体即ALIVH-B并已量产化。ALIVH-B沿用导通孔上导通孔、导通孔上焊盘构造等母板用优点,为安装裸芯片封装和组件用提供载体即积层板。而制造工艺方面相同,特别是开发制作细线图形,导体宽度/导体间距为50/50微米图形加工和激光钻小孔120微米技术。此外,使用在模块封装方面,所采用导电胶、铜箔、绝缘基板材料都有很大改进,大大提高可靠性。
  5.环境保护
  AHVH和ALIVH-B在环境保护方面,研制与开发无卤素绝缘基板材料。此外,封装时采用无铅焊料、高绝缘基板材料高耐热性能。
  二.ALIVH VIL
  1.积层构造比较
  前言已述基本有二种类型积层印制电路板并进行构造上比较。右侧有支承板型积层印制电路板,左侧是全层积层型印制电路板。所谓支承板即芯板是按照传统工艺制造多层板用于布线需要,因为传统制造多层板实现高密度布线受到制约。为此,采用积层就是为实现导线精细化,增加层数并超周期地完成量产化。
  2.开发经过:
  根据「芯板层型积层印制电路板」缺点开发出新构造ALIVH VIL基板。由于支承板(芯板)和全层IVH构造在ALIVH上采用使层间连接达到100%,及在VIL绝缘材料精细导线化形成技术应用,就很容易使表层细线化与内层布线接受性获得高性能印制电路板。
  3.商品概要:
  ALIVH和VIL技术融合概念图ALIVH用4层多层芯板,表层是单面1层由VIL构成。图10所示,ALIVH用4层由VIL构成单面2层断面构造图。积层中VIL部分1层、3层,6层、4层就有可能采用跳跃式孔。芯板及全层积层ALIVH结构上使用全层IVH构造。
  4.设计优越性:
  从设计规范分析,ALIVH继承原设计上优点,提出更优越性设计规格如下: ①全层IVH规格:孔径设置层不受限制; ②每层规格:每层设计组合可自由选择。表5标准设计规格和精细设计规格组合。 ③焊盘上导通孔:焊盘与孔共用化(开发了精细孔镀层采用电镀铜); ④导通孔上导通孔:邻近层孔位置不受限制(对应采用跳跃孔)。
  5.共同开发意向:
  这个开发就是继续完成制造高密度封装基板和制造技术完善。使高多层ALIVH印制电路板高密度积层板用VIL技术融,达到次世纪高密度封装技术要求商品。为此,实现早期开发合作于2001年5月组成,原因是由于新业务发展需要,在思想上取得一致同意组合。 今后两公司发展,以确保研制与开发各工程间顺利进行,于是在2002年4月组成共同开发组织。并确保各组织独自业务活动和产,同商品销售。图11就是两公司研发商品系列。
  四.今后发展 96年10月统计ALIVH产品用于携带电话上,生产累计近一亿台以上,获得高速发展,今后从ALIVH VIL两种技术融合,生产出环保型基板材料,基材不含有卤素化、封装焊料无铅化和提高耐热性能,克服ALIVH用料吸湿性缺点,继承全层IVH结构优越性和新材料开发,就能全面推动新高精度封装所需要新商品研制与开发。
  三、VIL及其它
  1.特长
  VIH属于热硬化树脂和激光钻孔为「芯板 积层」提供构造高密度积层用基板。积层基板激光成孔,就是在积层绝缘材料采用激光射线直接照射即为直接成像法,也可采用附树脂铜箔或半固化片加铜箔等都可采用此法形成所需要孔径。VIH就是采用直接成像法。
  第2特长就是精细电路图形、小孔径采用适当电气连接方法。导体层是采用芯板铜箔并通过减成法使导体厚度减薄形成细导线化。此外,采用图形电镀法也很容易和适宜。因此制作成精细导线图形就成为可能。从精细图形制作方法和激光钻孔,经过加工后孔所形成断面图,其孔形状,有着良好药液循环性能。但必须将孔内残渣除去,才能很容易使孔内形成均一电镀层,特别是量产化,就必须确保小孔径具有高可靠性电气连接。
  第3特长,多次积层所形成多层积层板而不采用压力方法,因此高层数层间定位精度经过多次积层会有变化。从量产化角度分析,要确保高层数层间高定位精度。独自开发高精度激光加工机和CCD摄像机用于高精度孔定位机,确保精细孔径加工用小径钻头接触可靠性,保证电气连接可靠性。此外多次积层另一个课题,就是内层孔径被绝缘材料埋人和要确保多次积层表层表面平坦度,前者台形孔形状具有良好脱气性,较好实现形成第二层绝缘层。 写真3封装基板实例所示,其中设计线宽和间距为L/S40微米、孔径为90微米。
  2.应用
  图形精细化形成,其主要特征就是适应0.5节距CSP部品小型化需要,积层板适应了电子设备高性能化要求。VIL代表产品就是携带电话使用,基板表面封装部品封装率达到80%以上,超过其它数字化电影、数字照相机、PDA等所使用高性能高密度模块封装占有率。 VIL典型结构层见写真5所示。其基本构成有IVH上孔设置、阻抗控制、散热结构等已商品化。
  3.环境对策
  主要对VIL积层材料中卤素化合物对环境影响。这就需要研发无卤素成实现环境和VIL协调发展。同时,无铅焊料也于99年开始供应市埸,
  4.今后发展
  VIL今后发展重要有三点,第1点就是向精细图形化发展。从现在量产情况采用L/S=50/50微米是实现高密度封装必要条件之一。VIL特长之一就是不采用铜箔而采用图形电镀工艺方法实现50微米以下精细导线化图形。第2点就是根据携带电子设备特性要求,重要提高机械强度。要研究与开发出用户所需要VIL绝缘材料。第3点就是实现层间高密度互连自由度。根据VIL特长和导通孔上焊盘、导通孔上导通、导通孔上导通孔技术,必然会快速实现三次积层量产化。使全层IVH构造「ALIVH」,结合使用芯板层实现高密度化成为可能。

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