SEMI预测，2010年全球晶圆厂成长幅度将达64%，规模达240亿美元。但预计其中很大部份(约140亿美元)将来自少数几家公司──半导体界的‘六大天王’(Fantastic Six)，已经宣布了他们积极的投资计划。
在这前所未见的低迷气氛中，过去一年来，这些公司发布的大规模投资计划着实令人惊讶。SEMI的研究显示，未来2年内，这六家公司还将投入大量资金，以迎接经济挑战。
台积电TSMC)：在经济衰退之际，台积电仍然连续两次调高了资本支出。2009年5月，台积电首次将其资本支出计划从15亿美元扩大为19亿美元，而在同年7月底，再次宣布加码至23亿美元。2010年，随着半导体需求持续复苏，加上全球经济开始走出衰退阴影，台积电的资本支出也预计将达到20亿美元以上。
GlobalFoundries：GlobalFoundries 的合作伙伴──来自杜拜的ATIC公司，投资了21亿美元购买其晶圆厂股份。ATIC已承诺额外注入36亿美元股票资金(equity funding)，并在未来5年内提高至60亿美元，协助GlobalFoundries扩展业务。2009年，该晶圆厂的资本支出估计在6~7亿美元之 间，未来两年则可望提升至每年10亿美元以上。
东芝(Toshiba)：2009年6月，东芝开始在全球股票市场集资30亿美元进行晶圆厂投资。这是过去8年来，全日本由非金融公司所进行的最大股票发行案。东芝将继续专注于NAND闪存，并扩大其与IBM 联盟的伙伴关系，并更新与三星(Samsung)的NAND专利协议。东芝公司在2009~2011会计年度的的总资本支出计画是11亿日圆(约115亿 美元)。其中，2009年用于半导体事业的资本支出计划为9,400亿美元。约47亿美元将用于2010和2011会计年度。2010年额度约20亿美 元，2011年预计将稍高一些。
三星：三星的最新动作，是将位于奥斯汀的200mm产线转换为300mm的后段制程(BEOL)产线，以支持其现有的300mm前段制程。SEMI估计，三星在2010年的资本支出约为40～50亿美元，主要用于升级德州 Austin 1与Austin 2，以及韩国的Line 15与Line 16产线。
英特尔(Intel)：2009年4月，英特尔宣布在未来几年内，将花费70亿美元来改善现有设施，以推动32nm技术量产。SEMI预测，这70亿美元中，约有30~40亿美元会用于2009年，其余将用在2010年。
华亚科技(Inotera)： 这家由南亚(NanYa)与美光(Micron)合资成立的公司宣布了一个16亿美元的计画，将从70nm沟槽式技术转换到50nm的堆栈电容技术，并使 用浸入式蚀刻工具。华亚拥有来自于南亚母公司台塑的强大财政支柱。其工厂预计在今年稍晚至明年进行装配，这可为该公司在2010年贡献约10亿美元的资本支出。
晶圆厂资本支出
2010年，全球的总晶圆厂支出(包括建造和装配晶圆设 施)也预计将增加64%，达240亿美元。而随着这持续升级投资，六家厂商将占据总支出的一半以上。64%增幅看似非常高，但我们仍须考虑此一增长是以 2009年的历史最低水平为基础。仅仅5亿美元的资本支出差异，对成长率的影响就可能达到4%。
将2010年的支出额与2008年相较(见表1)，增长率将出现负值。事实上，工厂的总支出(建筑加装备)在2010年将保持在2003年以来最低水平──当年的资本支出额约220亿美元。
表1：2008~2010年资本支出比较
*装配晶圆厂：任何与前端设备相关的费用，包括使用全新或二手设备的晶圆加工、光罩(mask/reticle)以及其它配套设备。
2009下半年，每季的总晶圆厂装配(含建造和装机)成长率可望达到2位数，到2010年还可望维持8%~15%的成长率(图1)。
图1：前段制程设备的支出(含建造和装机)
2010 年，花费最多资金用于建造晶圆厂的地区将是美国。但在对于装机方面美国也将名列第一，其次是台湾和韩国。2009年，超过32家公司很对总晶圆厂资本支出 的贡献度可能达140~150亿美元。而到了2010年，该数字可望变成超过40家公司共同贡献了约240亿美元的资本支出。而前面提到的六家主要业者， 在2010年的资本支出额度预估将达140亿美元，等同于2009年全球所有晶圆厂的总资本支出额度(140~150亿美元)。
晶圆厂产能
半导体界‘六大天王’约占全球30%产能。这些业者在2009与2010年的投资大部份集中在升级其晶圆厂，而非投资新的晶圆厂。GlobalFoundries的产能相较之下少于其它五大天王，然而，这家新进入的代工业者才刚开始扩充产能，同时也在为新的晶圆厂做准备。
经济低迷对全球产能也造成了影响。由于2009年积弱不振的资本支出，不少生产线也宣告停止运转。SEMI预测资料显示，到2009年底大约有31家晶圆厂会关门大吉，另外还有16家可能在2010年退场。
2009年第一季，晶圆厂的平均产能利用率下降了约56%(业界各别公司回报的下降幅度约在30%~70%之间)。虽然一些公司(如台积电)目前正在运转中的一些厂房利用率已达满载，但在2009年底，整体产能利用率仍可能在70%~80%之间。
图3：内存、晶圆代工、逻辑/模拟及其它等不同类别产品的装机产能。
记 忆体在装机产品中占最大比重，从2002~2007年，随着导入300mm晶圆厂，每年成长率均保持在20%~50%。然而，2008年内存的产能成长 率放缓至8%，2009年的成长率则约为-5%~-6%。2010年，内存的装机产能成长率预估为4%~5%，与过去的高成长相比，这个数字非常低。
全 球NAND市场需求在2009年预估将增加约70亿GB至150亿GB；在2011与2012年则将增加300亿~500亿GB。目前，业界仅增加极少量 的装机产能要如何满足这些需求，仍然是一个问号。晶圆界六大天王中，生产闪存的东芝、三星与英特尔(IM Flash)，将会在产能方面进行一些投资。不过，从破土到真正上线运转，建造一家晶圆厂至少需要1~1.5年的时间，因此，在2010年投资建造的新晶 圆厂无法提供任何新的产能，必须等到2011或2012年。
SEMI预测，2010年全球晶圆厂资支出增长幅度约为64%。 全球各地的经济振兴方案能提升不同地区的国家生产毛额(GDP)，并持续对2010年带来更好的影响──或许可带动其它公司加入‘六大天王’俱乐部，然后，我们谈论的对象就会变成‘七大巨星’(Super Seven)。
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