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设计能力     
1   最高速信号:3.125G差分信号
2   最高设计层数:38层
3   最大Connections:18564
4   最大PIN数目:26756
5   最小过孔:8MIL(4MIL激光孔)
6   最小线宽:3MIL
7   最小线间距:4MIL
8   最小BGA PIN间距:0.5mm
9   一块PCB板最多BGA数目:30
10   最大的板面积:640mm*580mm
 
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日期:2009-7-9 9:41:21 

    日前,California Micro Devices宣布推出用于移动和计算设备的特定应用 microSD(微型安全数字)接口保护滤波器 CM1624。受欢迎的 microSD 闪存卡越来越多地用于便携设备,使用户能够在不同设备上存储或使用数据。CM1624 保护 microSD 存储卡用户接口,使静电放电 (ESD) 不会损坏卡或硬件,并抑制电磁干扰 (EMI),同时提供卓越的数字信号完整性。它是领先的 Praetorian III(R) 产品系列的一员,将出色的滤波器性能与最低的线路电容结合在一起。CM1624 还具有整合式上拉电阻,避免了手机印刷电路板 (PCB) 需要额外电路,并节约了更多的物料清单成本。

  特定应用 microSD 接口

  基于电感器的滤波器解决方案提供了可用的最高数字信号完整性。CM1624 能够支持高达 96 MHz 的时钟频率、5 nSec 的上升/下降时间以及从 700 MHz 到 3 GHz 范围的高水平衰减。CM1624 的管脚分布针对 microSD 接口标准进行了优化,并提供 +/-15kV(接触)整合 ESD 保护的6线 EMI
抑制(符合 IEC 61000-4-2),针对 Vcc 线的一线泡罩包装 ESD 保护,以及用于卡检测等相关功能的两个额外的不连续 ESD 二极管。此外,CMD 已经整合了 25k ohms 上拉电阻,帮助侦测存储卡的存在。

  电容有限情况下的 EMI 滤波

  随着用于生产基带和应用处理器的工艺几何转向日益缩小的规模,系统工作电压也变得更低,因此数据线上的电容负载量成为手机设计人员面临的主要问题。microSD 接口规格使得总电容负载达到 40 pF,而传统的滤波器架构占据了有限的设计空间的大部分。CM1624 具有 20pF 的规格 0V DC 电容,并在工作电压下低于 12 pF--针对 microSD 接口设计的 EMI 滤波器中可用的最低电容。更低的滤波器线路电容使手机设计人员在 PCB 布线和改进设计方面获得更大的设计自由。

  CM1624-08DE 特征

  -- 工作电压下极低的线路电容 (12 pF)
  -- 卓越的信号完整性,5 nSec 的上升时间,50 ohms 环境中 75 MHz 时钟频率
  -- 所有端口上业界领先的 >15 kV 接触 ESD 保护
  -- 完美匹配 microSD 接口的特定应用、统包解决方案,包括整合式上拉电阻

  CM1624-08DE 提供符合 RoHS 标准、符合业界标准的紧凑型 microDFN16 封装。

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