即使对经验丰富工程师和设计工程师，也可能并不知道设计中哪些部分有利于抗静电释放（ESD），大多数电子设备在生命期内99%时间都处于一个充满ESD环境之中，ESD可能来自人体、家具、甚至设备自身内部。电子设备完全遭受ESD损毁比较少见，然而ESD干扰却很常见，它会导致设备锁死、复位、数据丢失和不可靠。其结果可能是：在寒冷干燥冬季电子设备经常出现故障现象，但是维修时又显示正常，这样势必影响用户对电子设备及其制造商信心。
在电子产品设计中必须遵循抗静电释放设计规则，本文介绍静电释放(ESD)产生原理，以及机箱、屏蔽层、接地、布线设计等诸多设计规则，它们有助于预防并解决静电释放产生危害，值得中国电子设备设计工程师认真研究和学习。
ESD产生机理
许多产品设计工程师通常在产品进入到生产环节时才着手考虑抗静电释放(ESD)问题。如果电子设备不能通过抗静电释放测试，他们就会加班加点找寻不破坏原有设计解决方案。然而，最终方案通常都要采用昂贵元器件，还要在制造过程中采用手工装配，甚至需要重新设计，因此，产品进度势必受到影响。
要防止ESD，首先必须知道ESD是什么以及ESD进入电子设备过程。一个充电导体接近另一个导体时，就有可能发生ESD。首先，两个导体之间会建立一个很强电场，产生由电场引起击穿。两个导体之间电压超过它们之间空气和绝缘介质击穿电压时，就会产生电弧。在0.7ns到10ns时间里，电弧电流会达到几十安培，有时甚至会超过100安培。电弧将一直维持直到两个导体接触短路或者电流低到不能维持电弧为止。
ESD产生取决于物体起始电压、电阻、电感和寄生电容：
可能产生电弧实例有人体、带电器件和机器。
可能产生尖峰电弧实例有手或金属物体。
可能产生同极性或者极性变化多个电弧实例有家具。
ESD可以通过五种耦合途径进入电子设备：
初始电场能容性耦合到表面积较大网络上，并在离ESD电弧100mm处产生高达4000V/m高压。
电弧注入电荷/电流可以产生以下损坏和故障：
a. 穿透元器件内部薄绝缘层，损毁MOSFET和CMOS元器件栅极(常见)。
b. CMOS器件中触发器锁死(常见)。
c. 短路反偏PN结(常见)。
d. 短路正向偏置PN结(少见)。
e. 熔化有源器件内部焊接线或铝线(少见)。
电流会导致导体上产生电压脉冲(V=L×dI/dt)，这些导体可能是电源、地或信号线，这些电压脉冲将进入与这些网络相连每一个元器件(常见)。
电弧会产生一个频率范围在1MHz到500MHz强磁场，并感性耦合到临近每一个布线环路，在离ESD电弧100mm远地方产生高达15A/m电流。
电弧辐射电磁场会耦合到长信号线上，这些信号线起到接收天线作用(少见)。 ESD会通过各种各样耦合途径找到设备薄弱点。ESD频率范围宽，不仅仅是一些离散频点，它甚至可以进入窄带电路中。为了防止ESD干扰和损毁，必须隔离这些路径或者加强设备抗ESD能力。表1描述了对可能出现ESD防范措施以及发挥作用场合。
如何预防ESD
塑料机箱、空气空间和绝缘体可以屏蔽射向电子设备ESD电弧。除利用距离保护以外，还要建立一个击穿电压为20kV抗ESD环境。
A1. 确保电子设备与下列各项之间路径长度超过20mm。
包括接缝、通风口和安装孔在内任何用户能够接触到点。在电压一定情况下，电弧通过介质表面比通过空气传播得更远。
任何用户可以接触到未接地金属，如紧固件、开关、操纵杆和指示器。
A2. 将电子设备装在机箱凹槽或槽口处来增加接缝处路径长度。
A3.在机箱内用聚脂薄膜带来覆盖接缝以及安装孔，这样延伸了接缝/过孔边缘，增加了路径长度。
A4.用金属帽或者屏蔽塑料防尘盖罩住未使用或者很少使用连接器。
A5.使用带塑料轴开关和操纵杆，或将塑料手柄/套子放在上面来增加路径长度。避免使用带金属固定螺丝手柄。
A6.将LED和其它指示器装在设备内孔里，并用带子或者盖子将它们盖起来，从而延伸孔边沿或者使用导管来增加路径长度。
A7.延伸薄膜键盘边界使之超出金属线12mm，或者用塑料企口来增加路径长度。
A8. 将散热器靠近机箱接缝，通风口或者安装孔金属部件上边和拐角要做成圆弧形状。
A9. 塑料机箱中，靠近电子设备或者不接地金属紧固件不能突出在机箱中。
A10. 在薄膜键盘电路层周围涂上粘合剂或密封剂。
A11.在触摸橡胶键盘上，确保布线紧凑并且延伸橡胶片以增加路径长度。
A12. 如果产品不能通过桌面/地面或者水平耦合面间接ESD测试，可以安装一个高支撑脚使之远离桌面或地面。
