本文提出了一种WEDM用双管正激交错并联结构的DC/DC变换器设计方案，其采用并联结构，功率管工作在同样频率下，但输出电压频率提高了一倍。两路并联使得输出电压占空比也增加了一倍，其整流侧输出电压占空比可以在0～1之间变化，提高了电路响应速度；在同样输出电流的情况下，整流、续流二极管平均电流减小，有利于选取反向恢复时间更短的快恢复二极管。
    DC/DC变换器设计的最中心工作就是设计高频变压器。为了满足在输入电压变化范围内都能够得到所要求的输出电流，高频变压器的变比应按输入电压最低，输出功率最大情况来选择。此种情况下，变换器工作在最大占空比状态，且电源工作在放电周期里。实际的电路中由于高频变压器存在漏感，回路中还有引线电感，在开关管关断瞬间会引起较大的电压尖峰。因此，选用开关管反向耐压应留有足够的裕度。本设计选用IR公司的功率MOSFET IR460。浪涌电流主要是由滤波电容充电引起的。在开关管开始导通的瞬间，电容对交流电呈现出很低的阻抗。设计时必须在电源的输入端采取一些限流措施，将浪涌电流减小到允许的范围之内。本设计采用热敏电阻技术限制浪涌电流。选取合适的热敏电阻，可以保证在负载电流达到稳定状态时，热敏电阻的阻值最小。
    一般情况下，交流电网上的电压为115V或230V左右，但有时也会有高压的尖峰出现。虽然电压尖峰持续的时间很短，但是它却有足够的能量给开关电源的输入滤波器、开关晶体管等造成致命的损坏。最通用的抑制干扰高压器件是金属氧化物压敏电阻瞬态电压抑制器。将压敏电阻并联在输入交流电压两端。当高压尖峰瞬间出现在压敏电阻两端时，它的阻抗急剧减小到一个值，高压从其上经过，从而消除尖峰电压使输入电压达到安全值。控制电路包括调压控制和保护两部分。变换器是一闭环调节系统，所以与一般调节系统一样，要求控制电路应具有足够的回路增益，能在允许的输入电网电压、负载及温度变化范围内，输出电压稳定度达到规定的精度要求，即静态精度指标。同时，还必须满足动态品质要求，如稳定性及动态响应性能。因此，需要加适当的校正网络或采用多反馈技术。要满足获得额定的输出电压及调节范围的要求。此外，还应具有软启动功能及过压、过流等保护功能。必要时还要求实现控制电路输出与反馈输入之间的隔离。
    为保持变换器的输出电压稳定，通常采用占空比控制技术。改变占空比的调节方式有脉宽调制(PWM)和脉频调制(PFM)两种方式。脉宽调制是在工作频率不变情况下，通过改变晶体管或场效应管导通时间或截止时间来改变占空比，应用较普遍。脉频调制是采用恒定导通时间、可变截止时间或恒定截止时间、可变导通时间来实现占空比的改变。过去，控制电路中各单元电路多采用分立元件及单片集成块。随着微电子技术的发展，近年来已研制出各种集成脉宽调制控制器，这些集成块包含了控制电路的全部功能，只需加少量元件就能满足要求。这不仅简化了设计计算，且大幅度地减少了元器件数量和连接焊点，使变换器的可靠性大大提高。
    功率MOSFET是一种电压控制器件，没有少数载流子的存储效应，输入阻抗高，因而开关速度可以很高，驱动功率小。但为了得到最佳控制性能，需要精心设计驱动电路。根据要求该驱动电路采用两对图腾柱式推拉驱动。