对于众多嵌入式应用，特别是那些需要大容量内存且高可靠性的系统，DDR2存储器是一种极佳的选择。嵌入式系统并不迫切需要提高内存速度，但目前DDR2取代SDRAM将成为主流。随着微处理器技术的发展,前端总线对内存带宽的要求越高，拥有更稳定的运行频率的DDR2内存将是大势所趋。
DDR2标准规定所有DDR2内存均采用FBGA封装,而不是目前DDR广泛应用的TSOP/TSOP-II封装,FBGA封装可以提供良好的电气性能与散热性。DDR2内存采用1．8 V电压,可使功耗和发热量达到最低，此外，DDR2还具有OCD、ODT和Post CAS三项新技术。DDR2 SDRAM是由JED-EC开发的新生代内存技术标准,与上一代DDR内存技术标准相比，虽然采用时钟的上升／下降沿同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有2倍于上一代DDR内存预读取能力。即就是，DDR2内存每时钟能以4倍的外部总线速度读／写数据,并且能以内部控制总线4倍的速度运行。
HY5PS121621BFP是Hyundai公司生产的一款512 MB DDR2器件,内部结构为32 M%26#215;16，工作电压为1．8 V，16位数据宽度采用84引脚FBGA封装。硬件系统的核心是一片Agere公司的APP300网络处理器，该网络处理器内嵌ARM 926E核，主频为133 MHz。APP300是Agere的Payload-Plus系列第四代网络处理器产品，片内集成有Clas-sifier、Traffic manager、Control processor等功能块，其处理能力为1．6 Gbit／s。APP320对外提供5个数据处理端口(Port0～Port4)，可根据实际需要配置多种系统接口，支持不同的应用场合。APP300支持3种外部存储器接口，即200 MHz速率的DDR2SDRAM，支持内存的ECC保护功能。
由于HY5PS121621BFP的数据总线采用ODT技术内建核心的终结电阻器，所以其数据总线的末端不用放置并联终端，但其地址／控制线没有采用ODT技术内建核心的终结电阻器，因此，应当始终在所有地址／控制线的末端采用并联终端。如没有适当的终端电压源，则可在VCCO电源端和接地端之间串联2只电阻器形成戴维宁等效终端电路。在这种情况下，只需要将地址／控制线的末端连接至包含这2只电阻器电路即可。
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