1990年，哈拉里创建的SanDisk售出了他们的第一代闪存卡——即使在关闭电源后也能记忆信息——每张卡可储存400万比特信息。时至今日，SanDisk生产的容量最大的闪存卡已经可储存640亿比特信息。换句话说，闪存卡当前的存储容量是19年前的16000倍。哈拉里说，增长速度超过摩尔定律的预测。摩尔定律由英特尔联合创始人戈登·摩尔(Gordon Moore)提出。这一定律指出半导体存储容量大约每两年增加一倍。

　　通常情况下，在与芯片公司高层讨论有关摩尔定律的极限问题时，他们都表现得非常自信，认为能够以一种或者另一种方式继续提高芯片的容量。现在，哈拉里的公司正朝着“我们快将电子用尽了”前进。他说：“开始时，我们的一个单元——芯片存储信息的位置——大约有100万个电子，现在的数量只有几百个。”但这种减少并不是永无止境的。“我们不可能一个电子都不留。”

　　SanDisk以及其它闪存卡制造商找到了如何将更多信息“塞”进微小单元的方式。直到几年前，每一个单元仍以与绝大多数电脑内存一样的方式工作，要么代表“0”，要么代表“1”。现在，芯片已能真正计算单元内的电子数量，读写依靠的数字最多已达到16个——从“0”到“15”的一个数字或者说采用4进制。

　　让我们暂时停下来仔细回顾一下这个奇迹吧。我为自己的数码相机购买的最后一张闪存卡存储容量为2G(160亿比特)，价格为6美元，一次能够计算40个电子。一个电子的半径为2.8179 × 10−15米。在外行人眼里，这已经是他们所能计算的体积最小的东西了。

　　像曼哈顿一样建摩天大楼

　　问题是当前闪存技术存储那些电子的方式，它们并不一定总是按指令行事，尤其是在存储卡越来越过时的情况下。哈拉里说：“当拥有10亿个芯片单位时，你无法在一个电子上对其进行统一控制。如果你希望获得40个电子，那么，我可以用新的设备做到这一点。但7年过去了，这件事变得越来越难办。”也就是说，电子数量会开始让一个个芯片单位变得不同起来。

　　在硅谷某个大企业成功“偷师学艺”的SanDisk拥有实现上述功能的应用程序。每个芯片的控制人员可以随时追踪这些失误并作出补偿。接下来，则更多需要工程师去解决问题。SanDisk可以尝试生产更小的芯片单元，从每个单元获取更多的存储空间，提高控制人员的工作效率。哈拉里说，但到一天结束的时候，这可能会令其芯片存储容量仅仅增长两倍。

　　一旦整个行业从当前的640亿位芯片向2560亿位芯片(即32 GB)过渡，它便会遇到难以逾越的障碍。后面会发生怎样的事情？你的摄像机和音乐播放器肯定能存储大量文件，但你不能指望明年的Phone手机在存储容量翻一番的情况下，保持与今年一样的价格。哈拉里可能会遭遇这样的障碍，但他心中有数。哈拉里说：“曼哈顿没有空地的时候，他们开始建摩天大楼。这同样适用于我们。”

　　只以成败论英雄

　　眼下，半导体全部依据嵌入一片硅上的电路具体属性设计。四年前，SanDisk收购了Matrix Semiconductor，这家企业当时正试图找到使多层微型存储单元相叠的方法。SanDisk远非唯一一家探索闪存“第三维”的厂商。 Seagate前任CEO比尔·瓦特金斯(Bill Watkins)日前加盟Vertical Circuits公司董事会，该公司采用一种银制物质去叠加存储芯片。

　　哈拉里表示，迄今为止，SanDisk可以制造出4到8层的芯片。这的确是个好消息。坏消息是，他们仅能一次向这些芯片编入信息。对于发布软件和电子游戏等新产品来说，这或许无关紧要，但多数闪存是用于像相机这样的设备，它们需要的是可以清除和重写的存储器。

　　哈拉里表示，公司工程师的开发工作正取得好的进展。相比于一些芯片制造企业高层对摩尔定律永远管用的盲目乐观，哈拉里显然冷静的多。他说：“在开发出新设备以后，一切付出看上去都很值得。但在拥有它之前，你就像是一个一无所有的人。”

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